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汽車(chē)電子零部件EMC測(cè)試失敗時(shí)有發(fā)生，發(fā)射測(cè)試的失敗經(jīng)常困擾著現(xiàn)場(chǎng)跟進(jìn)的工程師們，電磁發(fā)射看不見(jiàn)摸不著，怎么快速定位引起發(fā)射失敗的干擾源，下面小編邀請(qǐng)TüV萊茵汽車(chē)安全檢測(cè)專(zhuān)家李學(xué)虎給大家詳細(xì)介紹。

隨著信息化的發(fā)展， MCU運(yùn)算和信息存儲(chǔ)速度越來(lái)越快，高速時(shí)鐘、快速運(yùn)算和存儲(chǔ)信號(hào)會(huì)引起的很強(qiáng)的電磁干擾；由于系統(tǒng)集成度越來(lái)越高，零部件的體積越來(lái)越小，零部件模塊干擾之間的相互耦合不可避免，很容易將內(nèi)部的干擾帶出來(lái)從而引起發(fā)射測(cè)試失敗。

另一方面，受能耗越來(lái)越小的要求，開(kāi)關(guān)電源大量使用在汽車(chē)電子零部件中，開(kāi)關(guān)電源的快速開(kāi)關(guān)切換也會(huì)引起很強(qiáng)的電磁發(fā)射；新能源汽車(chē)的電機(jī)控制器、DC/DC、OBC等零部件，都有很高的電源功率轉(zhuǎn)換模塊，這些模塊也會(huì)帶來(lái)很強(qiáng)的電磁干擾。

汽車(chē)電子零部件EMC發(fā)射測(cè)試包含CTE(電源線瞬態(tài)傳導(dǎo)發(fā)射），MFE(低頻磁場(chǎng)發(fā)射)，CE(傳導(dǎo)發(fā)射-AN(電壓法)和CP(電流法))以及RE(輻射發(fā)射)四項(xiàng)，下面我們來(lái)一一解析：

汽車(chē)電子發(fā)射測(cè)試項(xiàng)目

1CTE測(cè)試失敗

CTE測(cè)試的失敗一般由內(nèi)部大功率的磁性器件引起，如電機(jī)的線圈，電磁鐵的線圈、濾波電路中的大功率電感等，這些部件在關(guān)閉的瞬間會(huì)產(chǎn)生很強(qiáng)的瞬態(tài)脈沖。

CTE測(cè)試失敗數(shù)據(jù)

2MFE測(cè)試失敗

MFE測(cè)試的失敗一般由內(nèi)部大功率的磁性器件引起，如電機(jī)的線圈，電磁鐵的線圈、新能源部件中的大功率感性部件等，這些部件在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生的低頻磁場(chǎng)干擾。

MFE測(cè)試失敗數(shù)據(jù)

3CE測(cè)試失敗

CE測(cè)試中的失敗一般由開(kāi)關(guān)電源和地處理不良引起，測(cè)試數(shù)據(jù)中的窄帶騷擾引起超標(biāo)一般為開(kāi)關(guān)電源引起，寬帶騷擾超標(biāo)一般由地處理不良引起。

開(kāi)關(guān)電源模塊引起的AN測(cè)試失敗-窄帶騷擾

地處理不良引起的CP測(cè)試失敗-寬帶騷擾

4RE測(cè)試失敗

RE測(cè)試中的低頻失敗一般由開(kāi)關(guān)電源和地處理不良引起，高頻失敗一半為內(nèi)部時(shí)鐘或晶振的處理不良引起倍頻超標(biāo)，這些信號(hào)會(huì)有很強(qiáng)的規(guī)律，很容易區(qū)分。

開(kāi)關(guān)電源模塊引起的RE測(cè)試失敗

晶振/時(shí)鐘引起的RE測(cè)試失敗

地處理不良引起的RE測(cè)試失敗

EMC檢測(cè)作為產(chǎn)品性能測(cè)試的重要指標(biāo)之一，對(duì)汽車(chē)安全及產(chǎn)品品質(zhì)至關(guān)重要。汽車(chē)電子零部件EMC測(cè)試發(fā)射雖然看不見(jiàn)、摸不著，但還是有一定的規(guī)律可循，如遇到失敗，可多和實(shí)驗(yàn)室的測(cè)試人員和項(xiàng)目工程師進(jìn)行溝通，可幫助客戶(hù)快速定位發(fā)射失敗的原因，協(xié)助客戶(hù)解決EMC發(fā)射失敗問(wèn)題。