紅旗汽車首款電驅(qū)用750V碳化硅功率芯片樣品流片成功，標(biāo)志著中國汽車行業(yè)在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域取得了突破性進(jìn)展。該芯片樣品的成功研制，對紅旗把握汽車行業(yè)未來三年功率電子結(jié)構(gòu)性“缺芯”的機(jī)遇，掌控功率芯片核心技術(shù)，構(gòu)建全國產(chǎn)功率芯片資源鏈，實(shí)現(xiàn)電驅(qū)用碳化硅功率芯片高質(zhì)量、低成本搭載應(yīng)用有著里程碑的意義。

碳化硅技術(shù)是新能源電驅(qū)系統(tǒng)發(fā)展的核心驅(qū)動力之一。根據(jù)國際權(quán)威半導(dǎo)體咨詢機(jī)構(gòu)預(yù)測，未來5年車用碳化硅功率模塊的年復(fù)合增長率將達(dá)到38.3%，市場規(guī)模將達(dá)到44.13億美元。然而，作為電驅(qū)系統(tǒng)功率模塊的核心器件，碳化硅功率芯片仍然處于被國外芯片企業(yè)壟斷的狀態(tài)，成為限制我國新能源汽車快速發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸。隨著碳化硅功率芯片應(yīng)用量的大幅增加，國外芯片企業(yè)的產(chǎn)能大多已被歐美車企預(yù)定，在日益趨緊的國際環(huán)境下，有巨大的不可控風(fēng)險，迫切需要實(shí)現(xiàn)碳化硅芯片產(chǎn)品與技術(shù)的自主可控。因此，由紅旗品牌主導(dǎo)引領(lǐng)、以央企合作的模式實(shí)現(xiàn)電驅(qū)用碳化硅功率芯片的自主化、產(chǎn)業(yè)化具有十分重要的意義。

紅旗功率電子開發(fā)部依托豐富的電驅(qū)系統(tǒng)開發(fā)應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，主導(dǎo)750V碳化硅功率芯片產(chǎn)品技術(shù)需求定義，聯(lián)合中電科55所，從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)、材料應(yīng)用維度開展技術(shù)攻關(guān)，芯片比導(dǎo)通電阻達(dá)到2.15mΩ·cm2，最高工作結(jié)溫175℃，達(dá)到國際先進(jìn)水平。這一成果得益于紅旗品牌“綠色智能、效率卓越、自立自強(qiáng)、安全可控”的技術(shù)理念，以及央企合作產(chǎn)業(yè)鏈上下游高效協(xié)同示范效應(yīng)的發(fā)揮。

在技術(shù)攻關(guān)方面，紅旗功率電子開發(fā)部采用了有限元仿真和工藝實(shí)驗(yàn)相結(jié)合的方法，完成平面柵碳化硅芯片的元胞建模及結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)。通過JFET區(qū)結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)化，使芯片在導(dǎo)通和阻斷性能之間取得最佳平衡。對終端結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化，提高終端保護(hù)效率，提升器件耐壓能力。這些高性能結(jié)構(gòu)技術(shù)的應(yīng)用，提高了芯片的性能和可靠性。

同時，紅旗功率電子開發(fā)部建立了穩(wěn)定的碳化硅芯片薄片工藝。通過襯底減薄和激光退火的方法，有效降低了襯底電阻；采用柵介質(zhì)氧化及氧化后的氮化處理方法，降低界面態(tài)密度，完成一氧化氮退火工藝參數(shù)優(yōu)化及可靠性驗(yàn)證，提高了溝道遷移率和閾值電壓穩(wěn)定性。同時，紅旗功率電子開發(fā)部采用國產(chǎn)低缺陷襯底材料與高均勻性外延材料，進(jìn)一步降低了碳化硅功率芯片失效概率，提高芯片可靠性。應(yīng)用可支持銀燒結(jié)工藝的表面金屬層材料，大大提升了芯片散熱效果，可支持高溫下的穩(wěn)定安全工作。這些高穩(wěn)定工藝技術(shù)和高質(zhì)量材料技術(shù)的應(yīng)用，保證了芯片的長期穩(wěn)定性和可靠性。

紅旗汽車“all in”新能源、“all in”碳化硅，力求在新能源汽車轉(zhuǎn)型發(fā)展的歷史機(jī)遇中，全面推進(jìn)國產(chǎn)碳化硅芯片規(guī)?；瘧?yīng)用。這對中國汽車工業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展提供了有力支撐。目前，紅旗汽車已經(jīng)形成了以央企合作為主的碳化硅芯片產(chǎn)業(yè)鏈。下一步，紅旗汽車將在技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方面繼續(xù)發(fā)力，推動碳化硅芯片技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展。同時，紅旗汽車將加強(qiáng)與其他車企和配套企業(yè)的合作，構(gòu)建更加完善的碳化硅芯片產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈，助力中國新能源汽車行業(yè)更加健康、穩(wěn)健、可持續(xù)發(fā)展。

總之，紅旗汽車的碳化硅功率芯片樣品流片成功，對于中國汽車行業(yè)在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)自主可控具有重要意義。這一成果不僅可以提高中國新能源汽車的核心競爭力，還有望推動中國在全球汽車行業(yè)中的話語權(quán)和地位。同時，紅旗汽車在碳化硅芯片領(lǐng)域的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化實(shí)踐，也為中國其他領(lǐng)域的芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了有益的借鑒和參考。

未來，隨著新能源汽車市場的快速擴(kuò)張和碳化硅技術(shù)的不斷成熟，碳化硅芯片的應(yīng)用前景將會更加廣闊。紅旗汽車作為中國汽車行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，將繼續(xù)發(fā)揮技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)協(xié)同的優(yōu)勢，推動碳化硅芯片的規(guī)?；瘧?yīng)用和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。同時，紅旗汽車也將不斷完善自身的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系，為中國汽車行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)。