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泰克助力高效功率器件評(píng)估,深度解析功率半導(dǎo)體雙脈沖測(cè)試

2025-06-02 12:00:16·  來(lái)源:泰克科技  
 

在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測(cè)試(DPT)作為一種關(guān)鍵的測(cè)試方法,為功率器件的動(dòng)態(tài)行為評(píng)估提供了精準(zhǔn)的手段。本文將深入解析雙脈沖測(cè)試的原理、應(yīng)用及泰克科技在這一領(lǐng)域的先進(jìn)解決方案,并介紹泰克專家高遠(yuǎn)新書(shū)的相關(guān)內(nèi)容。

雙脈沖測(cè)試的目標(biāo)參數(shù)

在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí),理想狀態(tài)是功率損耗為零,但現(xiàn)實(shí)中開(kāi)關(guān)損耗不可避免。傳統(tǒng)的硅基轉(zhuǎn)換器效率約為87%至90%,這意味著10%至13%的輸入功率以廢熱形式耗散,其中大部分損耗發(fā)生在MOSFET或IGBT等開(kāi)關(guān)器件中。因此,精確測(cè)量這些器件的開(kāi)關(guān)參數(shù)對(duì)于優(yōu)化設(shè)計(jì)、提升效率至關(guān)重要。

雙脈沖測(cè)試是測(cè)量MOSFET或IGBT開(kāi)關(guān)參數(shù)的首選方法,被廣泛應(yīng)用于JEDEC和IEC標(biāo)準(zhǔn)中,如JEP182、JESD24-10、IEC 60747-9等。該測(cè)試方法能夠在受控的電壓、電流和溫度條件下,通過(guò)脈沖限制被測(cè)器件(DUT)的自發(fā)熱并保持穩(wěn)定的結(jié)溫,從而準(zhǔn)確測(cè)量開(kāi)關(guān)參數(shù)。

雙脈沖測(cè)試的目標(biāo)是測(cè)量以下開(kāi)關(guān)參數(shù):

?  導(dǎo)通參數(shù):包括導(dǎo)通延遲時(shí)間td(on)、VDS下降時(shí)間tf、導(dǎo)通時(shí)間ton、最大漏極電流ID、dv/dt、di/dt、導(dǎo)通能量Eon和動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻RDS(on)。

?  關(guān)斷參數(shù):包括關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)、VDS上升時(shí)間tr、關(guān)斷時(shí)間toff、最大漏源電壓VDSM、dv/dt、di/dt、關(guān)斷能量Eoff和輸出電荷Qoss。

?  反向恢復(fù)參數(shù):包括反向恢復(fù)時(shí)間tr、反向恢復(fù)電流Ir、反向恢復(fù)電荷Qrr、反向恢復(fù)能量Err和正向?qū)妷?/span>VSD。


雙脈沖測(cè)試的三階段

典型的雙脈沖測(cè)試電路如圖1所示,通過(guò)高側(cè)和低側(cè)FET的配置,實(shí)現(xiàn)對(duì)功率器件的精確測(cè)量。

圖片

測(cè)試分為三個(gè)重要階段:

1)建立目標(biāo)測(cè)試電流,調(diào)整第一個(gè)脈沖的寬度以通過(guò)負(fù)載電感提供所需的測(cè)試電流。

2)第一個(gè)脈沖的關(guān)斷及測(cè)量,此時(shí) Id已達(dá)到目標(biāo)測(cè)試電流,并在功率器件關(guān)斷時(shí)降至零。測(cè)量關(guān)斷延遲(td(off))、下降時(shí)間( tf )、關(guān)斷時(shí)間( toff)、關(guān)斷能量(Eoff)、dv/dt 和di/dt。負(fù)載電流從負(fù)載電感流經(jīng)續(xù)流二極管。關(guān)斷時(shí)間保持較短以將負(fù)載電流維持在目標(biāo)Id。

3)第二個(gè)脈沖的導(dǎo)通及測(cè)量,在此階段進(jìn)行導(dǎo)通測(cè)量,目標(biāo)Id開(kāi)始重新流入功率器件。導(dǎo)通期間的電流過(guò)沖是由于續(xù)流二極管反向恢復(fù)時(shí)的暫時(shí)過(guò)量電流。第二個(gè)脈沖寬度僅保持足夠長(zhǎng)以確保穩(wěn)定測(cè)量,同時(shí)避免過(guò)熱。

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圖1:用于測(cè)量低側(cè)FET開(kāi)關(guān)損耗的雙脈沖測(cè)試電路;圖2:以MOSFET為DUT的電流流向;圖3:以IGBT為DUT的電流流向。

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圖4:雙脈沖測(cè)試波形。頂部波形顯示施加到柵極或柵極驅(qū)動(dòng)器的信號(hào)。底部信號(hào)是對(duì)應(yīng)的漏極電流(Ic)和漏源電壓(VDS)。測(cè)量在第1和第2階段以及第2和第3階段之間的過(guò)渡處進(jìn)行。

泰克科技的雙脈沖測(cè)試解決方案

圖片

泰克科技提供全面的儀器、探頭和軟件,以滿足雙脈沖測(cè)試的需求。

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